Influence of the dielectric and of the active layer doping on the FET mobility in PPV-based devices

Anno: 2007

Autori: Todescato F., Capelli R., Dinelli F., Murgia M., Camaioni N., Yang M., Muccini M.

Affiliazione autori: Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), via P. Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per i Processi Chimico Fisici, via Moruzzi,1 I-56124 Pisa, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la sintesi organica e la Fotoreattività (ISOF), via P. Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy;
Department of Polymer Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China

Titolo Convegno: MRS – Organic Light Emitting Materials and Devices
Luogo: San Diego